技術的特徴の解説

 

FT&PL DCD&SCD

・同期式SRAMにはFT(Flow Through)とPL(Pipeline)の動作があります。
 ・GSI社の同期式SRAMには/FTピンがあり、これらを切り替えられます。 
・FT動作の場合マルチプレクサによるディレーが生じるため多少遅くなります。詳細は、データシートのtkq(clock to output valid)の値を確認願います。

・同期式BurstSRAMにはDCD(Double Cycle DeSelect)SCD(Single Cycle DeSelect)があります。
・/CEから1クロックサイクルでDeSelectされるのがSCDです。

 

NBT

バーストSRAMのリードライト

・NBT(No Bus Turnaround )は他社ではZBT(Zero Bus Turnaround/No Bus latency)と呼ばれています。 ・リード・ライトの切り替えが頻繁に行われるアプリケーションに適しています。

NBT SRAMのリードライト

 

Byte Safe FLXDrive
・GSI社の8M/16M同期SRAMにはParity Encoding& Checking 機能搭載されている製品があります。

・(GS881xxx、GS882xxx、GS8161xxx、GS8162xx)/QE信号がParity Error Outを外部に知らせます。

・X16/32モードとx18/36モードでは、/QEが出力されるタイミングが違いますので、詳しくはデータシートをご覧下さい。

・GSI社SRAMは、I/Oドライブ出力を切り替えられ製品があります。下記のように複数のSRAMがバス上に接続されている場合はHigh Driveが必要です。

High Drive
Down » 22W / Up »28W
Low Drive
Down » 43W / Up »55W

 

JTAG
IEEE 1149.1-1990のJTAG  Boundary Scan対応を

8M、16MのSRAM供給しています。

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