抜群の低消費電力　

■ 同期ＳＲＡＭの動作消費電力の比較　( V DD = maE = V IH )

1Mbit 同期 SRAM 32Kx32 GSI Galvantech Micron Mitsubishi
117MHz 210mA 425mA 350mA 260mA
80MHz 150mA 250mA 250mA 240mA

　

2Mbit 同期 SRAM 64Kx32 GSI ISSI Micron Motorola
133MHz 240mA 360mA 360mA N/A
80MHz 150mA 290mA 250mA 250mA

　

4Mbit 同期 SRAM 128Kx36 GSI Galvantech Motorola Samsung
166MHz 320mA 425mA 425mA 425mA
100MHz 200mA 350mA 375mA 350mA
　
256Kx18 GSI Galvantech Motorola Samsung
166MHz 320mA 425mA 425mA 425mA
100MHz 200mA 350mA 375mA 350mA

■非同期ＳＲＡＭの動作消費電力の比較　 ( V DD = maｘ, E = V IH )

1Mbit 非同期 SRAM 128Kx8 GSI IDT Motorola Samsung
10ns 100mA 165mA 130mA 150mA
15ns 70mA 140mA 110mA 135mA
　
64Kx16 GSI IDT Motorola Samsung
10ns 100mA 220mA 140mA 190mA
15ns 70mA 200mA 130mA 165mA

　

4Mbit 非同期 SRAM 512Kx8 GSI Motorola Samsung
10ns 125mA 185mA 170mA
15ns 90mA 175mA 150mA
　
256Kx16 GSI Motorola Samsung
10ns 125mA 250mA 240mA
15ns 90mA 230mA 220mA

Test Condition: CE1£ V IL , CE2 V IH　 All other inputs V IH or £ V IL　Min. cycle time Iout = 0 mA

低消費電力はFIT率を下げる
米国のあるADSLｽｲｯﾁでGS82032が採用され(1ﾎﾞｰﾄﾞ当たり22個のSRAMを搭載)、 以前から
使用していた他社のSRAMと比較して4.2W低消費電力化に成功しました。
これにより装置のFIT率が半分以下に下がりました。

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